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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 5116400BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位動態(tài)隨機(jī)存儲器（4米× 4位動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 5/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | HYB 5116400BJ-50 |
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HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
5
1998-10-01
Block Diagram for HYB 5(3)117400 (2k-refresh)
Data In
Buffer
Data Out
Buffer
I/O1 I/O2
I/O4
OE
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
&
No.2 Clock
Generator
Column
Address
Buffers (11)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (11)
Buffers (11)
Address
Row
No.1 Clock
Generator
11
Memory Array
2048
x
Decoder
Row
2048
.
.
2048
x 4
..
..
4
4
4
11
11
WE
CAS
RAS
11
2048
4
x
I/O3
(internal)
V
V
Generator
Voltage Down
CC
CC
SPB02823
11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 5116400BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 5117400BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3116405BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BT-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5116400BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116400BJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116400BJ-50-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
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