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參數資料
| 型號： | HYB 5116400BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位動態(tài)隨機存儲器（4米× 4位動態(tài)內存） |
| 文件頁數： | 7/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | HYB 5116400BJ-50 |
HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
7
1998-10-01
DC Characteristics
(cont’d)
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
SS
= 0 V,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Notes
min.
max.
2k
4k
Common Parameters
Input leakage current
(0 V
≤
V
IH
≤
V
CC
+ 0.3 V, all other pins = 0 V)
Output leakage current
(DO is disabled, 0 V
≤
V
OUT
≤
V
CC
+ 0.3 V)
Average
V
CC
supply current
I
I(L)
– 10
10
μ
A
1
I
O(L)
– 10
10
μ
A
1
-50 ns version
-60 ns version
(RAS, CAS, address cycling:
t
RC
=
t
RC MIN.
)
Standby
V
CC
supply current (RAS = CAS =
V
IH
)
Average
V
CC
supply current, during RAS-only refresh
cycles
I
CC1
–
–
80
70
50
40
mA
mA
2, 3, 4
2, 3, 4
I
CC2
I
CC3
–
2
mA
–
-50 ns version
-60 ns version
(RAS cycling, CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC MIN.
)
Average
V
CC
supply current,during fast page mode
–
–
80
70
50
40
mA
mA
2, 4
2, 4
-50 ns version
-60 ns version
(RAS =
V
IL
, CAS, address cycling:
t
PC
=
t
PC MIN.
)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current, duringCAS-before-RAS
refresh mode
I
CC4
–
–
25
20
mA
mA
2, 3, 4
2, 3, 4
I
CC5
–
1
mA
1
-50 ns version
-60 ns version
(RAS, CAS cycling:
t
RC
=
t
RC MIN.
)
I
CC6
–
–
80
70
50
40
mA
mA
2, 4
2, 4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 5116400BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 5117400BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3116405BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BT-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB5116400BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116400BJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116400BJ-50-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
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