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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 5118165BST-50 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| 中文描述： | 100萬× 16位動態(tài)隨機存儲器（100萬× 16位動態(tài)隨機存儲器（快速頁面模式）） |
| 文件頁數(shù)： | 21/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | HYB 5118165BST-50 |
HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
21
1998-10-01
Hidden Refresh Cycle (Early Write)
SPT03054
"H" or "L"
WRP
Column
Row
Address
(Output)
(Input)
I/O
I/O
OL
V
OH
V
IN
V
V
IL
WE
IL
V
IH
V
V
IL
Valid Data
t
DS
t
WCS
t
DH
WP
t
WCH
t
t
ASR
V
LCAS
UCAS
IH
V
t
IL
IH
V
RAS
V
IL
IH
V
RAS
RAD
ASC
RAH
t
t
t
RCD
t
t
CAH
t
RSH
t
t
RC
RP
t
Row
Hi Z
t
WRH
RC
t
RAS
CHR
t
t
ASR
t
CRP
t
RP
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3118165BSJ-60 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85 |
| HYB3118165BST-50 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85 |
| HYB3118165BST-60 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85 |
| HYB 3118165BSJ | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3118165BST-50 | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動態(tài) RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5118165BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118165BST-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB514100AJ-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514100AJ-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514100AJ-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
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