參數(shù)資料
型號: HYB 5118165BST-60
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動態(tài)RAM(快速頁面模式))
中文描述: 100萬× 16位動態(tài)隨機(jī)存儲器(100萬× 16位動態(tài)隨機(jī)存儲器(快速頁面模式))
文件頁數(shù): 3/24頁
文件大小: 192K
代理商: HYB 5118165BST-60
HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
3
1998-10-01
Pin Names and Configuration
HYB 5(3)118165
Row Address Inputs
A0 - A9
Column Address Inputs
A0 - A9
Row Address Strobe
RAS
Upper Column Address Strobe
UCAS
Lower Column Address Strobe
LCAS
Output Enable
OE
Data Input/Output
I/O1 - I/O16
Read/Write Input
WE
V
CC
V
SS
N.C.
Power Supply
Ground (0 V)
Not Connected
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
23
22
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
A5
A4
A6
A7
OE
A9
A8
UCAS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O13
V
SS
I/O12
A0
A1
A2
A3
I/O3
I/O4
V
CC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
N.C.
WE
RAS
N.C.
N.C.
SPP02812
SS
V
CC
V
I/O16
I/O15
I/O14
SS
V
I/O1
I/O2
V
CC
21
19
20
N.C.
LCAS
N.C.
42
41
40
P-SOJ-42-1 (400 mil)
SPP03457
20
21
28
27
19
17
18
16
15
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
I/O5
N.C.
CC
V
9
10
11
2
3
4
5
6
1
40
32
31
30
29
36
35
34
33
7
8
I/O7
I/O8
I/O6
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
WE
RAS
A6
A5
A4
V
A3
V
CC
A2
A0
A1
22
23
24
25
UCAS
OE
SS
46
45
47
48
50
49
42
41
43
44
LCAS
N.C.
A7
A8
A9
N.C.
A11 / N.C.
A10 / N.C.
26
SS
V
CC
V
SS
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
N.C.
N.C.
P-TSOPII-50/44-1 (400 mil)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3118165BSJ-50 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
HYB 514100BJ-60 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM)
HYB514100BJ-50 4M x 1-Bit Dynamic RAM
HYB 514100BJ-50 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM)
HYB514100BJ-50- 4M x 1-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB5118165BST-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
HYB514100AJ-60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB514100AJ-70 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB514100AJ-80 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB514100AZ-60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM