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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 5118165BST-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| 中文描述： | 100萬× 16位動態(tài)隨機存儲器（100萬× 16位動態(tài)隨機存儲器（快速頁面模式）） |
| 文件頁數(shù)： | 8/24頁 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | HYB 5118165BST-60 |
HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
8
1998-10-01
Column address to RAS lead time
t
RAL
t
RCS
t
RCH
25
–
30
–
ns
Read command setup time
0
–
0
–
ns
Read command hold time
Read command hold time referenced to RAS
t
RRH
CAS to output in low-Z
0
–
0
–
ns
11
0
–
0
–
ns
11
t
CLZ
t
OFF
t
OEZ
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
0
–
0
–
ns
8
Output buffer turn-off delay
0
13
0
15
ns
12
Output turn-off delay from OE
0
13
0
15
ns
12
Data to CAS low delay
0
–
0
–
ns
13
Data to OE low delay
0
–
0
–
ns
13
CAS high to data delay
10
–
13
–
ns
14
OE high to data delay
10
–
13
–
ns
14
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
8
–
10
–
ns
Write command pulse width
8
–
10
–
ns
Write command setup time
0
–
0
–
ns
15
Write command to RAS lead time
8
–
10
–
ns
Write command to CAS lead time
8
–
10
–
ns
Data setup time
0
–
0
–
ns
16
Data hold time
8
–
10
–
ns
16
Read-Modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
113
–
138
–
ns
RAS to WE delay time
64
–
77
–
ns
15
CAS to WE delay time
27
–
32
–
ns
15
Column address to WE delay time
39
–
47
–
ns
15
OE command hold time
10
–
13
–
ns
Hyper Page Mode (EDO) Cycle
Hyper page mode (EDO) cycle time
t
HPC
t
CP
20
–
25
–
ns
CAS precharge time
8
–
10
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 5 V
±
10 % /
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3118165BSJ-50 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB 514100BJ-60 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM) |
| HYB514100BJ-50 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB 514100BJ-50 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM) |
| HYB514100BJ-50- | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5118165BST-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB514100AJ-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514100AJ-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514100AJ-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514100AZ-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
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