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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB514100BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO20 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/21頁(yè) |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | HYB514100BJ-50 |
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Semiconductor Group
1
1998-10-01
4M
×
1-Bit Dynamic RAM
Advanced Information
4 194 304 words by 1-bit organization
0 to 70
°
C operating temperature
Fast Page Mode Operation
Performance:
Single + 5 V (
±
10 %) supply with a built-in
V
BB
generator
Low power dissipation
max. 660 mW active (-50 version)
max. 605 mW active (-60 version)
Standby power dissipation:
11 mW max. standby (TTL)
5.5 mW max. standby (CMOS)
Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection
Read, write, read-modify write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh,
hidden refresh and test mode capability
All inputs and outputs TTL-compatible
1024 refresh cycles/16 ms
Plastic Packages: P-SOJ-26/20-2 with 300 mil width
-50
-60
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
PC
RAS access time
50
60
ns
CAS access time
13
15
ns
Access time from address
25
30
ns
Read/Write cycle time
95
110
ns
Fast page mode cycle time
35
40
ns
HYB 514100BJ-50/-60
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 514100BJ-50 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB514100BJ-50- | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB514100BJ-60 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB 514171BJ-50 | 256k × 16-Bit Dynamic RAM(256k × 16位 動(dòng)態(tài) RAM) |
| HYB514171BJ-50 | 256k x 16-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB514100BJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB514100BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB514100BJ-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514100BJL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514100BJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
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