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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 514175BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256k × 16-Bit Dynamic RAM(256k × 16位 動態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 256k × 16位動態(tài)隨機存儲器（256k × 16位動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 8/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 177K |
| 代理商： | HYB 514175BJ-50 |
HYB 514175BJ/BJL-50/-55/-60
256k
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
8
1998-10-01
Read-Modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
118
–
122
–
138
–
ns
RAS to WE delay time
64
–
69
–
77
–
ns
15
CAS to WE delay time
27
–
27
–
32
–
ns
15
Column address to WE delay time
39
–
39
–
47
–
ns
15
OE command hold time
10
–
10
–
13
–
ns
Hyper Page Mode (EDO) Cycle
Hyper page mode cycle time
t
HPC
t
CP
t
CPA
t
COH
20
–
20
–
25
–
ns
CAS precharge time
8
–
8
–
10
–
ns
Access time from CAS precharge
–
27
–
27
–
32
ns
7
Output data hold time
RAS pulse width in hyper page mode
t
RAS
RAS hold time from CAS precharge
5
–
5
–
5
–
ns
50
200k 55
200k 60
200k ns
t
RHCP
27
–
27
–
32
–
ns
Hyper Page Mode (EDO) Read-Modify-Write Cycle
Hyper page mode read/write cycle
time
t
PRWC
58
–
58
–
68
–
ns
CAS precharge to WE delay time
t
CPWD
41
–
41
–
49
–
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
5
–
5
–
5
–
ns
CAS hold time
10
–
10
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
10
–
ns
Write to RAS hold time
10
–
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
CAS precharge time
t
CPT
35
–
35
–
40
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Note
-50
-55
-60
min. max. min. max. min. max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 514175BJ-55 | 256k × 16-Bit Dynamic RAM(256k × 16位 動態(tài) RAM) |
| HYB 514175BJ-60 | 256k × 16-Bit Dynamic RAM(256k × 16位 動態(tài) RAM) |
| HYB514175BJ-50- | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB514175BJ-55 | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB514175BJ-60 | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB514175BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB514175BJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB514175BJ-55 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB514175BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB514175BJL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
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