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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB18H512321BF |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | 512-Mbit GDDR3 Graphics RAM |
| 中文描述： | 512兆GDDR3顯卡內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 34/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 1344K |
| 代理商： | HYB18H512321BF |
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HYB18H512321BF
512-Mbit GDDR3
Internet Data Sheet
Rev. 1.1, 2007-09
05292007-WAU2-UU95
34
5.12
AC Timings for HYB18H512321BF
TABLE 22
Timing Parameters for HYB18H512321BF
Parameter
CAS latency Symbol
Limit Values
Unit Note
-8
–10
–11
–12
–14
Min
Max
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Clock and Clock Enable
System
frequency
CL=13
CL= 12
CL= 11
CL =10
CL = 9
CL = 8
CL = 7
f
CK13
f
CK12
f
CK11
f
CK10
f
CK9
f
CK8
f
CK7
t
CH
t
CL
t
HP
700
450
400
400
400
400
400
0.45
0.45
0.45
1200
1000
900
800
700
600
550
0.55
0.55
—
—
450
400
400
400
400
400
0.45
0.45
0.45
—
1000
900
800
700
600
550
0.55
0.55
—
—
—
400
400
400
400
400
0.45
0.45
0.45
—
—
900
800
700
600
550
0.55
0.55
—
—
—
400
400
400
400
400
0.45
0.45
0.45
—
—
800
700
650
550
500
0.55
0.55
—
—
—
400
400
400
400
400
0.45
0.45
0.45
—
—
700
650
600
500
450
0.55
0.55
—
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
t
CK
t
CK
t
CK
1)
1)
1)
1)
1)
1)
Clock high level width
Clock low-level width
Minimum clock half period
Command and Address Setup and Hold Timing
Address/Command input
setup time
Address/Command input
hold time
Address/Command input
pulse width
Mode Register Set Timing
Mode Register Set cycle time
t
MRD
Mode Register Set to READ
timing
Row Timing
Row Cycle Time
Row Active Time
ACT(a) to ACT(b) Command
period
Row Precharge Time
Row to Column Delay Time
for Reads
Row to Column Delay Time
for Writes
Four Active Windows within
Rank
2)
t
IS
0.22
—
0.24
—
0.27
—
0.3
—
0.35
—
ns
t
IH
0.22
—
0.24
—
0.27
—
0.3
—
0.35
—
ns
t
IPW
0.7
—
0.7
—
0.7
—
0.7
—
0.7
—
t
CK
6
12
—
—
6
12
—
—
6
12
—
—
6
12
—
—
6
12
—
—
t
CK
t
CK
3)4)
t
MRDR
t
RC
t
RAS
t
RRD
40
25
10
—
—
—
37
23
9
—
—
—
35
22
8
—
—
—
34
21
8
—
—
—
30
18
7
—
—
—
t
CK
t
CK
t
CK
5)
t
RP
t
RCDRD
15
14
—
—
14
13
—
—
13
12
—
—
13
12
—
—
12
11
—
—
t
CK
t
CK
t
RCDWR
t
RCDWR(Min)
= max(
t
RCDRD(Min)
- (WL + 1)
×
t
CK
;2
×
t
CK
)
t
CK
6)
t
FAW
40
—
36
—
32
—
32
—
28
—
t
CK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18L128160BF | DRAMs for Mobile Applications 128-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160B | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYMP112S64LMP8-C4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-C5 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-E3 | BNC FEMALE TO RCA MALE COUPLER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18H512321BF-08/10 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:512-Mbit GDDR3 Graphics RAM |
| HYB18H512321BF-11/12/14 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:512-Mbit GDDR3 Graphics RAM |
| HYB18L128160BC-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 128-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L128160BC-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
| HYB18L128160BF | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 128-Mbit Mobile-RAM |
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