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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G160AFL-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 1千兆位DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 23/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1752K |
| 代理商： | HYB18T1G160AFL-3 |
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HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 23 Rev. 1.02 May 2004
2.5 On-Die Termination (ODT)
ODT (On-Die Termination) is a new feature on DDR2 components that allows a DRAM to turn on/off termination
resistance for each DQ, DQS, DQS and DM for x4 and DQ, DQS, DQS, DM, RDQS (DM and RDQS share the
same pin), and RDQS for x8 configuration via the ODT control pin, where DQS is terminated only when enabled in
the EMRS(1) by address bit A10 = 0. For x8 configuration RDQS is only terminated, when enabled in the
EMRS(1) by address bits A10 = 0 and A11 = 1.
For x16 configuration ODT is applied to each UDQ, LDQ, UDQS, UDQS, LDQS, LDQS, UDM and LDM signal via
the ODT control pin, where UDQS and LDQS are terminated only when enabled in the EMRS(1) by address bit
A10 = 0.
The ODT feature is designed to improve signal integrity of the memory channel by allowing the DRAM controller to
independently turn on/off termination resistance for any or all DRAM devices.
The ODT function can be used for all active and standby modes. ODT is turned off and not supported in Self-
Refresh mode.
Functional Representation of ODT
Switch sw1 or sw2 is enabled by the ODT pin. Selection between sw1 or sw2 is determined by “Rtt (nominal)” in
EMRS(1) address bits A6 & A2. Target
Rtt = 0.5 * Rval1
or
0.5 * Rval2
.
The ODT pin will be ignored if the Extended Mode Register (EMRS(1)) is programmed to disable ODT.
DRAM
Input
Buffer
Input
Pin
Rval1
Rval1
Rval2
Rval2
sw1
sw1
sw2
sw2
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VSSQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AFL-37 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G160AFL-37 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AFL-3S | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G160AFL-3S | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AFL-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T1G400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68 |
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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