參數(shù)資料
型號： HYB18T1G160AFL-3S
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 1 Gbit DDR2 SDRAM
中文描述： 1千兆位DDR2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 5/89頁
文件大?。?/td> 1752K
代理商： HYB18T1G160AFL-3S
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 5 Rev. 1.02 May 2004
1.2.1 x8 Components
Symbol
1.2.3 x16 Components
Function
Symbol
Function
A0~A13
Row Address Inputs
DQS, DQS
Differential Data Strobes
A0~A9
Column Address Inputs
RDQS, RDQS
Differential Read Data Strobes
BA0, BA1, BA2
Bank Address Inputs
Column Address Input
for Auto-Precharge
Chip Select
VDD
Supply Voltage
A10/AP
VSS
Ground
CS
VDDQ
Supply Voltage for DQ
RAS
Row Address Strobe
VSSQ
Ground for DQs
CAS
Column Address Strobe
VDDL
Supply Voltage for DLL
WE
Write Enable
VSSDL
Ground for DLL
Reference Voltage for SSTL
Inputs
On Die Termination Enable
DQ0~DQ7
Data Inputs/Outputs (x8)
VREF
CKE
Clock Enable
ODT
CK, CK
Differential Clock Inputs
NC
Not connected
DM
Data Input Mask
Symbol
Function
Symbol
Function
A0~A12
Row Address Inputs
LDQS,LDQS
UDQS,UDQS
Differential Data Strobes
A0~A9
Column Address Inputs
NC
No Connection (Chip to Pin)
BA0, BA1, BA2
Bank Address Inputs
Column Address Input
for Auto-Precharge
Chip Select
VDD
Supply Voltage
A10/AP
VSS
Ground
CS
VDDQ
Supply Voltage for DQ
RAS
Row Address Strobe
VSSQ
Ground for DQs
CAS
Column Address Strobe
VDDL
Supply Voltage for DLL
WE
Write Enable
VSSDL
Ground for DLL
Reference Voltage for SSTL
Inputs
On Die Termination Enable
LDQ0~7, UDQ0~7
Data Inputs/Outputs
VREF
CKE
Clock Enable
ODT
CK, CK
Differential Clock Inputs
NC
Not connected
LDM, UDM
Data Input Masks
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T1G400AFL-5 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AF-3 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AF-37 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AF-3S POT 1.0K OHM 1/4 SQ CERM SL ST
HYB18T1G800AF-5 1 Gbit DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T1G400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA
HYB18T1G400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
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