參數(shù)資料
型號： HYB18T512400AF-37
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： CAP .022UF 16V PPS FILM 1206 5%
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 19/33頁
文件大?。?/td> 936K
代理商： HYB18T512400AF-37
HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
19
Rev. 0.85, 2004-04
6.0 Serial Presence Detect Codes for Registered Modules
6.1 SPD Codes for PC2–4300R (–3.7)
Product Type
H
2 GByte
×
72
2 Ranks (
×
4) 1 Rank (
×
4) 2 Ranks (
×
8) 1 Rank (
×
8)
PC2–4300R–444
Rev. 1.1
Rev. 1.1
HEX
HEX
80
80
08
08
08
08
0E
0E
0B
0B
61
60
48
48
00
00
05
05
3D
3D
50
50
02
02
82
82
04
04
04
04
00
00
0C
0C
04
04
38
38
00
00
01
01
07
05
01
01
3D
3D
50
50
50
50
60
60
3C
3C
1E
1E
H
H
1 GByte
×
72
H
H
1 GByte
×
72
H
H
512 MB
×
72
H
Organization
Label Code
Jedec SPD Revision
Byte# Description
0
Programmed SPD Bytes in EEPROM
1
Total number of Bytes in EEPROM
2
Memory Type (DDR2)
3
Number of Row Addresses
4
Number of Column Addresses
5
DIMM Rank and Stacking Information
6
Data Width
7
Not used
8
Interface Voltage Level
9
t
CK
@ CL
max
(Byte 18) [ns]
10
t
AC
SDRAM @ CL
max
(Byte 18) [ns]
11
Error Correction Support (non-ECC, ECC)
12
Refresh Rate and Type
13
Primary SDRAM Width
14
Error Checking SDRAM Width
15
Not used
16
Burst Length Supported
17
Number of Banks on SDRAM Device
18
Supported CAS Latencies
19
Not used
20
DIMM Type Information
21
DIMM Attributes
22
Component Attributes
23
t
CK
@ CL
max
-1 (Byte 18) [ns]
24
t
AC
SDRAM @ CL
max
-1 [ns]
25
t
CK
@ CL
max
-2 (Byte 18) [ns]
26
t
AC
SDRAM @ CL
max
-2 [ns]
27
t
RP.min
[ns]
28
t
RRD.min
[ns]
Rev. 1.1
HEX
80
08
08
0E
0A
61
48
00
05
3D
50
02
82
08
08
00
0C
04
38
00
01
05
01
3D
50
50
60
3C
1E
Rev. 1.1
HEX
80
08
08
0E
0A
60
48
00
05
3D
50
02
82
08
08
00
0C
04
38
00
01
04
01
3D
50
50
60
3C
1E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512400AF-5 CAP.00027UF 16V PPS FILM 0603 5%
HYS72T128000GR DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T128000HR DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T256020GR DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T256020HR RES 1.1 OHM 1/16W 5% 0402 SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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