參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512400AF-37
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： CAP .022UF 16V PPS FILM 1206 5%
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 21/33頁(yè)
文件大?。?/td> 936K
代理商： HYB18T512400AF-37
HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
21
Rev. 0.85, 2004-04
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
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78
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80
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84
85
86
87
88
89
90
91
92
T
REG
/ Toggle Rate
SPD Revision
Checksum of Bytes 0-62
JEDEC ID Code of Infineon (1)
JEDEC ID Code of Infineon (2)
JEDEC ID Code of Infineon (3)
JEDEC ID Code of Infineon (4)
JEDEC ID Code of Infineon (5)
JEDEC ID Code of Infineon (6)
JEDEC ID Code of Infineon (7)
JEDEC ID Code of Infineon (8)
Module Manufacturer Location
Product Type, Char 1
Product Type, Char 2
Product Type, Char 3
Product Type, Char 4
Product Type, Char 5
Product Type, Char 6
Product Type, Char 7
Product Type, Char 8
Product Type, Char 9
Product Type, Char 10
Product Type, Char 11
Product Type, Char 12
Product Type, Char 13
Product Type, Char 14
Product Type, Char 15
Product Type, Char 16
Product Type, Char 17
Product Type, Char 18
Module Revision Code
Test Program Revision Code
78
11
8E
C1
00
00
00
00
00
00
00
xx
37
32
54
32
35
36
30
32
30
47 / 48
52
33
2E
37
41
20
20
20
0x
xx
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8B
C1
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2E
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C1
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C1
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2E
37
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20
20
20
20
2x
xx
Product Type
H
2 GByte
×
72
2 Ranks (
×
4) 1 Rank (
×
4) 2 Ranks (
×
8) 1 Rank (
×
8)
PC2–4300R–444
Rev. 1.1
Rev. 1.1
HEX
HEX
H
H
1 GByte
×
72
H
H
1 GByte
×
72
H
H
512 MB
×
72
H
Organization
Label Code
Jedec SPD Revision
Byte# Description
Rev. 1.1
HEX
Rev. 1.1
HEX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512400AF-5 CAP.00027UF 16V PPS FILM 0603 5%
HYS72T128000GR DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T128000HR DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T256020GR DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T256020HR RES 1.1 OHM 1/16W 5% 0402 SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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