參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3118165BSJ-50
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
中文描述： 1M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO42
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
文件頁(yè)數(shù)： 11/24頁(yè)
文件大?。?/td> 192K
代理商： HYB3118165BSJ-50
HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
11
1998-10-01
Read Cycle
SPT03043
"H" or "L"
OEA
CAC
RAL
t
OH
OL
V
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
V
IH
V
IL
V
OE
WE
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
RAC
t
Hi
DZO
Z
t
CLZ
t
t
DZC
t
RCS
AA
t
t
LCAS
V
Address
V
IL
V
IH
IL
UCAS
RAS
IL
V
IH
V
V
IH
t
RAD
ASR
t
Row
t
Column
RAH
ASC
t
CAH
t
t
RCD
t
CSH
t
t
RAS
t
t
ODD
RRH
Valid Data OUT
OEZ
t
t
CDD
OFF
t
Hi Z
t
t
RSH
CAS
t
RC
t
RCH
ASR
t
Row
CRP
t
t
RP
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PDF描述
HYB 514100BJ-60 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動(dòng)態(tài)RAM)
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HYB514100BJ-50- 4M x 1-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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