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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3118165BSJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO42 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | HYB3118165BSJ-50 |
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HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
14
1998-10-01
Read-Write (Read-Modify-Write) Cycle
SPT03046
"H" or "L"
AWD
OEA
CSH
RWD
OH
I/O
(Outputs)
V
OL
(Inputs)
I/O
IL
V
V
V
IH
OE
WE
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
RAC
t
t
DZC
t
DZO
t
CLZ
t
CAC
t
RCS
t
AA
t
V
Address
V
IL
V
IH
LCAS
UCAS
RAS
IH
V
IL
V
V
IL
IH
RAH
Row
ASR
t
t
RAD
t
Column
ASC
t
t
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CAH
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RCD
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WP
Data
OUT
DS
ODD
OEZ
t
t
t
t
Data IN
Valid
t
DH
OEH
Row
t
CWD
t
CAS
t
t
RSH
RWL
t
t
CWL
ASR
t
CRP
t
RP
t
RWC
t
RAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 514100BJ-60 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB514100BJ-50 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB 514100BJ-50 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB514100BJ-50- | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB514100BJ-60 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3118165BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB3118165BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB3118165BST-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB314100BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
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