參數(shù)資料
型號(hào): HYB314265BJ-45
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述: 256K X 16 EDO DRAM, 45 ns, PDSO40
文件頁(yè)數(shù): 16/28頁(yè)
文件大小: 1324K
代理商: HYB314265BJ-45
HYB 5(3)14265BJ(L)-400/-40/-45/-50
256K x 16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
16
Write Cycle (Early Write)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB514265BJ-50 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB314265BJ-50 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB314265BJL-45 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB314265BJL-50 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB514405BJ-70 1M x 4-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB314265BJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB314265BJL-45 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB314265BJL-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB314400BJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB314400BJ-50- 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM