參數(shù)資料
型號: HYB314265BJ-50
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述: 256K X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO40
文件頁數(shù): 18/28頁
文件大小: 1324K
代理商: HYB314265BJ-50
HYB 5(3)14265BJ(L)-400/-40/-45/-50
256K x 16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
18
Read-Write (Read-Modify-Write) Cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB314265BJL-45 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB314265BJL-50 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB514405BJ-70 1M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB 514405BJ 1M x 4-Bit Dynamic RAM(1M x 4-位動態(tài) RAM (超級頁面EDO模式))
HYB 514405BJL 1M x 4-Bit Dynamic RAM(1M x 4-位動態(tài) RAM (超級頁面EDO模式))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB314265BJL-45 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB314265BJL-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB314400BJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB314400BJ-50- 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB314400BJ-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM