參數(shù)資料
型號(hào): HYB314400BJ-60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: IC-DARLINGTON ARRAY 4UNIT RoHS Compliant: Yes
中文描述: 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20
封裝: 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26
文件頁數(shù): 20/25頁
文件大?。?/td> 126K
代理商: HYB314400BJ-60
HYB 314400BJ-50/-60
3.3 V 1M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
20
1998-10-01
Hidden Refresh Cycle (Read)
V
CLZ
I/O
(Outputs)
OL
V
"H" or "L"
OH
V
I/O
(Inputs)
IL
V
IH
V
t
RAC
t
DZO
t
OE
V
IL
IH
V
WE
IL
IH
V
DZC
t
Valid Data OUT
SPT03034
t
CAC
OEA
AA
t
t
OFF
OEZ
t
t
Hi
t
ODD
Z
CDD
t
Column
RAS
ASR
V
Address
IL
IH
V
t
RCS
t
Row
RAH
ASC
t
t
CAS
IL
V
IH
V
RAS
IL
V
IH
V
t
RCD
RAD
t
t
WRP
t
RRH
CAH
t
t
WRH
t
t
RSH
t
CHR
RAS
t
ASR
t
Row
CRP
t
RC
t
t
RP
RC
t
RP
t
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 314400BJ-60 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動(dòng)態(tài) RAM(快速頁面模式))
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參數(shù)描述
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