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參數(shù)資料
| 型號： | HYB314400BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | IC-DARLINGTON ARRAY 4UNIT RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26 |
| 文件頁數(shù)： | 6/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | HYB314400BJ-60 |
HYB 314400BJ-50/-60
3.3 V 1M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
6
1998-10-01
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS = WE =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current during
CAS-before-RAS refresh mode
I
CC5
–
1
μ
A
1
-50 version
-60 version
I
CC6
–
–
70
60
mA
2, 4
Capacitance
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V;
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A9)
C
I1
C
I2
C
IO
–
5
pF
Input capacitance (RAS, CAS, WE, OE)
–
7
pF
Output capacitance (IO1 to IO4)
–
7
pF
DC Characteristics
(cont’d)
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Test
Condition
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 314400BJ-60 | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 39S128160CT | 128-Mbit(4banks × 2MBit × 16) Synchronous DRAM(128M(4列 × 2M位 × 16)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S128400CT | 128-Mbit(4banks × 8MBit × 4) Synchronous DRAM(128M(4列 × 8M位 × 4)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S128800CT | 128-Mbit(4banks × 4MBit × 8) Synchronous DRAM(128M(4列 × 4M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S16160CT-5.5 | 1M × 16-Mbit Synchronous DRAM for High-Speed Graphics Applications(16M位(1M × 16)同步動態(tài)RAM(用于高速圖形場合)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB314400BJL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB314400BJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB314400BJL-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB314405BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
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