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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB314400BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | IC-DARLINGTON ARRAY 4UNIT RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | HYB314400BJ-60 |
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HYB 314400BJ-50/-60
3.3 V 1M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
7
1998-10-01
AC Characteristics
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 5 ns
Parameter
5, 6
Symbol
Limit Values
Unit Note
-50
-60
min.
max. min.
max.
Common Parameters
Random read or write cycle time
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
T
t
REF
95
–
110
–
ns
RAS precharge time
35
–
40
–
ns
RAS pulse width
50
10k
60
10k
ns
CAS pulse width
13
10k
15
10k
ns
Row address setup time
0
–
0
–
ns
Row address hold time
8
–
10
–
ns
Column address setup time
0
–
0
–
ns
Column address hold time
10
–
15
–
ns
RAS to CAS delay time
18
37
20
45
RAS to column address delay time
13
25
15
30
ns
RAS hold time
13
15
–
ns
CAS hold time
50
60
–
ns
CAS to RAS precharge time
5
–
5
–
ns
Transition time (rise and fall)
3
50
3
50
ns
7
Refresh period
–
16
–
16
ms
Read Cycle
Access time from RAS
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OEA
t
RAL
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
CLZ
t
OFF
t
OEZ
–
50
–
60
ns
8, 9
Access time from CAS
–
13
–
15
ns
8, 9
Access time from column address
–
25
–
30
ns
8, 10
OE access time
–
13
–
15
ns
Column address to RAS lead time
25
–
30
–
ns
Read command setup time
0
–
0
–
ns
Read command hold time
0
–
0
–
ns
11
Read command hold time referenced to RAS
0
–
0
–
ns
11
CAS to output in low-Z
0
–
0
–
ns
8
Output buffer turn-off delay
0
13
0
15
ns
12
Output buffer turn-off delay from OE
0
13
0
15
ns
12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 314400BJ-60 | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動(dòng)態(tài) RAM(快速頁(yè)面模式)) |
| HYB 39S128160CT | 128-Mbit(4banks × 2MBit × 16) Synchronous DRAM(128M(4列 × 2M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB 39S128400CT | 128-Mbit(4banks × 8MBit × 4) Synchronous DRAM(128M(4列 × 8M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB 39S128800CT | 128-Mbit(4banks × 4MBit × 8) Synchronous DRAM(128M(4列 × 4M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB 39S16160CT-5.5 | 1M × 16-Mbit Synchronous DRAM for High-Speed Graphics Applications(16M位(1M × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM(用于高速圖形場(chǎng)合)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB314400BJL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB314400BJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB314400BJL-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB314405BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
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