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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3164405BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SRAM Memory IC; Memory Type:NMOS SRAM; Interface Type:Serial; Access Time, Tacc:350ns; Package/Case:16-DIP; Mounting Type:Through Hole |
| 中文描述： | 16M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SO-32 |
| 文件頁數(shù)： | 26/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 473K |
| 代理商： | HYB3164405BJ-60 |
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Semiconductor Group
114
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M x 4-DRAM
Hidden Refresh Read Cycle
RAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
OE
WE
Address
CAS
t
RC
t
RC
t
RAS
t
RAS
t
RP
t
RP
t
CRP
t
CHR
t
RAD
t
CAH
t
ASC
t
RAH
t
ASR
t
ASR
t
RCS
t
RRH
t
AA
t
OEA
t
DZC
t
DZO
t
CAC
t
RAC
t
CLZ
t
OEZ
t
OFF
t
ODD
t
CDD
t
RCD
t
RSH
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
t
WRP
t
WRH
“H” or “L”
Valid Data Out
Row
Column
Row
HI-Z
VOH
VOL
WL11
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PDF描述 |
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