參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3164405BJ-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： SRAM Memory IC; Memory Type:NMOS SRAM; Interface Type:Serial; Access Time, Tacc:350ns; Package/Case:16-DIP; Mounting Type:Through Hole
中文描述： 16M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO32
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, SO-32
文件頁(yè)數(shù)： 28/32頁(yè)
文件大小： 473K
代理商： HYB3164405BJ-60
Semiconductor Group
116
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M x 4-DRAM
Self Refresh (Sleep Mode)
t
RPS
t
RASS
t
RP
t
CRP
t
CP
t
RPC
t
WRH
t
WRP
t
CSR
t
OFF
t
OEZ
t
CDD
t
ODD
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
HI-Z
“H” or “L”
RAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
OE
WE
CAS
VOH
VOL
t
CHS
WL13
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PDF描述
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