參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3164405BJ-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： SRAM Memory IC; Memory Type:NMOS SRAM; Interface Type:Serial; Access Time, Tacc:350ns; Package/Case:16-DIP; Mounting Type:Through Hole
中文描述： 16M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO32
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, SO-32
文件頁(yè)數(shù)： 27/32頁(yè)
文件大?。?/td> 473K
代理商： HYB3164405BJ-60
Semiconductor Group
115
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M x 4-DRAM
Hidden Refresh Early Write Cycle
RAS
I/O
(Output)
I/O
(Input)
WE
Address
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
CAS
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
RSH
t
RAD
t
CAH
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
ASR
t
RAH
t
DS
t
DH
t
ASR
t
CRP
t
CHR
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RP
t
ASC
Row
Row
Valid Data
HI-Z
Column
VOH
VOL
t
WRP
t
WRH
WL12
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PDF描述
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