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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3165160T-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 16 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/26頁(yè) |
| 文件大小： | 383K |
| 代理商： | HYB3165160T-60 |
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Semiconductor Group
18
HYB 3164(5)160T-50/-60
4M x 16-DRAM
Write Cycle (Early Write)
RAS
Address
WRITE
OE
I/O1-I/O16
(Inputs)
I/O1-I/O16
(Outputs)
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
.
t
RAS
t
RC
t
CSH
t
RAD
t
CAS
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
RCD
t
RAL
t
ASR
t
CAH
t
ASR
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
ASC
t
WCH
Valid Data In
t
DS
t
DH
Hi Z
Column
Address
Address
Row
Row
Address
t
RAH
t
WCS
“H” or “L”
UCAS
LCAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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