- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370791 > HYB39L128160AC-75 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB39L128160AC-75 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
| 中文描述： | 128 - Mbit同步低功率DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 42/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 938K |
| 代理商： | HYB39L128160AC-75 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁當(dāng)前第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁
HYB 39L128160AC/T
128-MBit 3.3V Mobile-RAM
INFINEON Technologies
42
2003-02
5DQGRP&ROXPQZ
ULWH3DJHZLWKLQVDPH%DQN
&$6
/DWHQF\
DBy1
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Activate
Command
Bank B
Z
Hi
RBw
RBw
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
DBw0
DBw1
CBw
CBx
Write
Command
Bank B
DBw3
DBw2
DBx0
DBx1
DBy0
CBy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12 T13
Precharge
Command
Bank B
DBy2
DBy3
Activate
Command
Bank B
RBz
RBz
SPT03923_2
Read
Command
Bank B
CBz
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17 T18
T20
T21 T22
DBz1
DBz0
DBz2
DBz3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39L128160AC-8 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
| HYB39L128160AT | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB39L128160AT-75 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
| HYB39L128160AT-8 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
| HYB39L128160AC-7.5 | HEX DIE SET,.100/.213/.429 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39L128160AC-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
| HYB39L128160AT | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB39L128160AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?128M (8Mx16) 133MHz 3-3-3 ? |
| HYB39L128160AT-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
| HYB39L128160AT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。