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參數(shù)資料
| 型號： | HYB39S16160AT-10 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Multipole Connector |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 10 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 2/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | HYB39S16160AT-10 |
HYB 39S16400/800/160AT-8/-10
16 MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
2
1998-10-01
Ordering Information
Type
Ordering Code Package
Description
LVTTL-Version
HYB 39S16400AT-8 Q67100-Q1333 P-TSOPII-44-1 (400 mil) 125 MHz 2B
×
2 M
×
4 SDRAM
PC66 2-2-2
HYB 39S16400AT-10 Q67100-Q1323 P-TSOPII-44-1 (400 mil) 100 MHz 2B
×
2 M
×
4 SDRAM
PC66 2-2-2
HYB 39S16800AT-8 Q67100-Q1335 P-TSOPII-44-1 (400 mil) 125 MHz 2B
×
1 M
×
8 SDRAM
PC66 2-2-2
HYB 39S16800AT-10 Q67100-Q1327 P-TSOPII-44-1 (400 mil) 100 MHz 2B
×
1 M
×
8 SDRAM
PC66 2-2-2
HYB 39S16160AT-8 Q67100-Q1337 P-TSOPII-50-1 (400 mil) 125 MHz 2B
×
512 k
×
16 SDRAM
HYB 39S16160AT-10 Q67100-Q1331 P-TSOPII-50-1 (400 mil) 100 MHz 2B
×
512 k
×
16 SDRAM
Pin Names
CLK
Clock Input
DQ
Data Input/Output
CKE
Clock Enable
DQM, LDQM,
UDQM
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
NC
Data Mask
CS
Chip Select
Power (+ 3.3 V)
RAS
Row Address Strobe
Ground
CAS
Column Address Strobe
Power for DQ’s (+ 3.3 V)
WE
Write Enable
Ground for DQ’s
A0 - A10
Address Inputs
Not connected
A11 (BS)
Bank Select
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39S16160CT-6 | 1M x 16 MBit Synchronous DRAM for High Speed Graphics Applications |
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| HYB39S16160CT-8 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16160BT-10 | SWITCH, SPST |
| HYB39S16160CT-10 | 16 MBit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB39S16160BT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16160CT-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16160CT6 | 制造商:SIEMENS 功能描述:New |
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