參數(shù)資料
型號(hào): HYB5117400BJ-60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
中文描述: 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO26
封裝: 0.300 INCH, PLASTIC, SO-26
文件頁數(shù): 17/26頁
文件大?。?/td> 138K
代理商: HYB5117400BJ-60
HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
17
1998-10-01
Fast Page Mode Early Write Cycle
SPT03030
"H" or "L"
Data IN
ASC
Column
WCS
t
t
WCS
IL
IH
IL
IH
OH
IH
IL
(Outputs)
V
OE
I/O
(Inputs)
I/O
V
V
V
V
WE
V
V
V
Data IN
DS
t
Valid
DH
t
DS
t
WCH
WP
t
t
IH
IL
IL
IH
IH
IL
Address
V
V
RAS
CAS
V
V
V
V
Column
Row
ASR
t
RAD
t
ASC
RAH
t
t
t
RCD
CWL
t
CAH
t
t
PC
t
CAS
t
CP
t
t
t
WCS
Valid
Hi Z
DH
t
t
DS
WCH
WP
t
t
Valid
Data IN
DH
t
WCH
WP
t
t
ASR
CRP
RASP
ASC
Column
t
CWL
CAH
t
t
t
CAS
t
RWL
CWL
t
RAL
CAH
t
t
t
t
RSH
t
CAS
t
t
RP
Row
OL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 3116400BJ-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM)
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參數(shù)描述
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