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參數(shù)資料
| 型號： | HYB5117400BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| 中文描述： | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO26 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SO-26 |
| 文件頁數(shù)： | 22/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | HYB5117400BJ-60 |
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HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
22
1998-10-01
Hidden Refresh Early Write Cycle
SPT03035
"H" or "L"
WRP
Column
Row
Address
(Output)
(Input)
I/O
I/O
OL
V
OH
V
IN
V
V
IL
WE
IL
V
IH
V
V
IL
Valid Data
t
DS
t
WCS
t
DH
WP
t
WCH
t
t
ASR
V
CAS
IH
V
t
IL
IH
V
RAS
V
IL
IH
V
RAS
ASC
RAH
t
t
t
RAD
RCD
t
t
CAH
t
RSH
t
RC
t
RP
t
Row
Hi Z
t
WRH
RC
t
RAS
CHR
t
t
ASR
t
CRP
t
RP
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 3116400BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3116400BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3117400BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3117400BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 5116400BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5117400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117405BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
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