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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB5118160BSJ-50- |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 16位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器經(jīng)銷(xiāo)商刷新 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 191K |
| 代理商： | HYB5118160BSJ-50- |
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HYB 5118160BSJ-50/-60
HYB 3118160BSJ-50/-60
1M
×
16 DRAM
Semiconductor Group
22
1998-10-01
CAS-before-RAS Refresh Counter Test Cycle
SPT03055
"H" or "L"
t
WCH
t
t
DZC
t
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
OH
OL
V
IL
V
V
IH
V
Write Cycle
OE
WE
IL
IL
V
IH
V
V
IH
V
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
OL
V
OH
V
IL
V
IH
V
t
DS
Z
Hi
Data IN
t
WRP
WRH
t
DH
t
t
DZO
WCS
t
t
t
CLZ
OE
WE
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
LCAS
Address
UCAS
IH
IL
V
V
V
IL
IH
V
Read Cycle
RAS
V
IH
IL
V
WRP
t
WRH
t
t
RCS
AA
t
CAC
t
ASC
t
t
CAH
Column
CSR
t
CHR
t
CP
t
RAS
t
RWL
CWL
t
Data OUT
t
OEZ
t
OFF
t
ODD
OEA
t
RRH
RAL
CAS
t
CDD
t
RCH
t
t
ASR
Row
RSH
t
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 314100BJ-50 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(4M x 1位 動(dòng)態(tài) RAM(快速頁(yè)面模式)) |
| HYB314100BJ-50 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJBJL-50- | 4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJ-70 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJ-60 | IC,A/D CONVERTER,SINGLE,3 1/2-DIGIT,CMOS,DIP,24PIN RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5118160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB5118165BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5118165BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5118165BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
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