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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB514171BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256k x 16-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 256K X 16 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 181K |
| 代理商： | HYB514171BJ-50 |
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HYB 514171BJ-50/-60
256k
×
16 DRAM
Semiconductor Group
7
1998-10-01
Column address to RAS lead time
t
RAL
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
CLZ
t
OFF
t
OEZ
t
DZO
t
CDD
t
ODD
25
–
30
–
ns
Read command setup time
0
–
0
–
ns
Read command hold time
0
–
0
–
ns
11
Read command hold time ref. to RAS
0
–
0
–
ns
11
CAS to output in low-Z
0
–
0
–
ns
8
Output buffer turn-off delay from CAS
0
15
0
20
ns
12
Output buffer turn-off delay from OE
0
15
0
20
ns
12
Data to OE low delay
0
–
0
–
ns
13
CAS high to data delay
15
–
20
–
ns
14
OE high to data delay
15
-
20
–
ns
14
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DZC
10
–
10
–
ns
Write command pulse width
10
–
10
–
ns
Write command setup time
0
–
0
–
ns
15
Write command to RAS lead time
15
–
15
–
ns
Write command to CAS lead time
15
–
15
–
ns
Data setup time
0
–
0
–
ns
16
Data hold time
10
–
15
–
ns
16
Data to CAS low delay
0
–
0
–
ns
13
Read-Modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
140
–
160
–
ns
RAS to WE delay time
75
–
90
–
ns
15
CAS to WE delay time
40
–
45
–
ns
15
Column address to WE delay time
50
–
60
–
ns
15
OE command hold time
15
–
20
–
ns
Fast Page Mode Cycle
Fast page mode cycle time
t
PC
35
–
40
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB514171BJ-50- | 256k x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB 514171BJ-60 | 256k × 16-Bit Dynamic RAM(256k × 16位 動(dòng)態(tài) RAM) |
| HYB514171BJ-60 | 256k x 16-Bit Dynamic RAM |
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| HYB 514175BJ-55 | 256k × 16-Bit Dynamic RAM(256k × 16位 動(dòng)態(tài) RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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