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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB514171BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256k x 16-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 256K X 16 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 181K |
| 代理商： | HYB514171BJ-50 |
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HYB 514171BJ-50/-60
256k
×
16 DRAM
Semiconductor Group
8
1998-10-01
CAS precharge time
t
CP
t
CPA
t
RASP
t
RHCP
10
–
10
–
ns
Access time from CAS precharge
–
30
–
35
ns
7
RAS pulse width
50
200k
60
200k
ns
RAS hold time from CAS precharge
30
–
35
–
ns
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Fast page mode read/write cycle time
t
PRWC
t
CPWD
80
–
90
–
ns
CAS precharge to WE delay time
55
–
60
–
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
5
–
5
–
ns
CAS hold tim
10
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
0
–
0
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
ns
Write to RAS hold time
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
CAS precharge time
t
CPT
25
–
30
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB514171BJ-50- | 256k x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB 514171BJ-60 | 256k × 16-Bit Dynamic RAM(256k × 16位 動(dòng)態(tài) RAM) |
| HYB514171BJ-60 | 256k x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB 514175BJ-50 | 256k × 16-Bit Dynamic RAM(256k × 16位 動(dòng)態(tài) RAM) |
| HYB 514175BJ-55 | 256k × 16-Bit Dynamic RAM(256k × 16位 動(dòng)態(tài) RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB514171BJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB514171BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB514171BJ-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514171BJ-85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514171BJL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Fast Page Mode DRAM |
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