參數(shù)資料
型號(hào): HYB514175BJ-60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 256k x 16-Bit EDO-DRAM
中文描述: 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
文件頁數(shù): 14/22頁
文件大?。?/td> 177K
代理商: HYB514175BJ-60
HYB 514175BJ/BJL-50/-55/-60
256k
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
14
1998-10-01
Hyper Page Mode (EDO) Read Cycle
SPT03056
"H" or "L"
Column 2
Data OUT 1
t
t
OH
OL
IL
IH
IL
IH
I/O
(Output)
V
V
V
OE
WE
V
V
V
RCS
CAC
t
CLZ
RAC
t
AA
t
t
OES
t
OEA
t
IH
IL
IL
IH
IH
IL
Address
V
V
LCAS
UCAS
RAS
V
V
V
V
RCD
ASC
Column 1
Row
ASR
t
RAD
t
t
RAH
t
t
CRP
t
CSH
CAH
t
ASC
t
HPC
CAS
t
t
t
CP
t
RCH
Data OUT N
t
Data OUT 2
t
COH
AA
t
CPA
t
CAC
t
t
COH
t
AA
CPA
t
CAC
t
t
OEZ
OFF
CRP
RP
RHCP
Column N
CAH
t
CAS
t
t
CAH
ASC
t
t
RAL
RRH
t
RSH
t
CAS
t
t
t
RAS
t
t
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB514175BJ-50 256k x 16-Bit EDO-DRAM
HYB 514400BJ-50 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動(dòng)態(tài)RAM)
HYB514400BJ-50 Connector Cover; Leaded Process Compatible:No; Enclosure Color:Gray; For Use With:SB 120 Connector; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes
HYB514400BJ-80 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB514400BT-60 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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