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參數(shù)資料
| 型號： | HYB514175BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| 中文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
| 文件頁數(shù)： | 4/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 177K |
| 代理商： | HYB514175BJ-60 |
HYB 514175BJ/BJL-50/-55/-60
256k
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
4
1998-10-01
Block Diagram
Data In
Buffer
Data Out
Buffer
I/O1 I/O2
I/O16
OE
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
&
No.2 Clock
Generator
Column
Address
Buffers (9)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (9)
Buffers (9)
Address
Row
No.1 Clock
Generator
9
9
Memory Array
512 x 512 x 16
Decoder
Row
.
.
..
..
16
16
16
9
9
WE
UCAS
LCAS
RAS
SPB02827
. . .
9
.
.
.
.
Generator
Substrate Bias
V
CC
V
SS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
512
512
16
x
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB514175BJ-50 | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB 514400BJ-50 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM) |
| HYB514400BJ-50 | Connector Cover; Leaded Process Compatible:No; Enclosure Color:Gray; For Use With:SB 120 Connector; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes |
| HYB514400BJ-80 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514400BT-60 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB514175BJL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| HYB514175BJL-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| HYB514175BJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| HYB514256AJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514256AJL-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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