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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB514175BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| 中文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 177K |
| 代理商： | HYB514175BJ-60 |
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HYB 514175BJ/BJL-50/-55/-60
256k
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
6
1998-10-01
Standby
V
CC
supply current
(RAS = LCAS = UCAS = WE =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current during
CAS-before-RAS refresh mode
I
CC5
–
1
mA
1
-50 version
-55 version
-60 version
I
CC6
–
200
190
170
mA
2, 4
Capacitance
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
CC
= 5 V
±
10 %,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A8)
C
I1
C
I2
C
IO
–
5
pF
Input capacitance (RAS, UCAS, LCAS, WE, OE)
–
7
pF
Output capacitance (l/O1 to l/O16)
–
7
pF
AC Characteristics
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Note
-50
-55
-60
min. max. min. max. min. max.
Common Parameters
Random read or write cycle time
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
RAD
89
–
94
–
104
–
ns
RAS precharge time
35
–
35
–
40
–
ns
RAS pulse width
50
10k
55
10k
60
10k
ns
CAS pulse width
8
10k
8
10k
10
10k
ns
Row address setup time
0
–
0
–
0
–
ns
Row address hold time
8
–
8
–
10
–
ns
Column address setup time
0
–
0
–
0
–
ns
Column address hold time
8
–
8
–
10
–
ns
RAS to CAS delay time
12
37
12
43
14
45
ns
RAS to column address delay time
10
25
10
30
12
30
ns
DC Characteristics
(cont’d)
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Test
Condition
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB514175BJ-50 | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB 514400BJ-50 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB514400BJ-50 | Connector Cover; Leaded Process Compatible:No; Enclosure Color:Gray; For Use With:SB 120 Connector; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes |
| HYB514400BJ-80 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514400BT-60 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB514175BJL-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| HYB514175BJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
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| HYB514256AJL-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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