- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄370794 > HYB514256B-70 (SIEMENS A G) 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB514256B-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 256K X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDIP20 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | HYB514256B-70 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)當(dāng)前第21頁(yè)第22頁(yè)
Semiconductor Group
75
HYB 514256B/BL/BJ/BJL-50/-60/-70
256 K
×
4-DRAM
Hidden Refresh Cycle (Early Write)
RAS
I/O1-I/O4
(Outputs)
I/O1-I/O4
(Inputs)
OE
WE
VIH
VIL
A0-A8
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
CAS
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
RSH
t
RAD
t
CAH
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
ASR
t
RAH
t
DS
t
DH
t
ASR
t
CRP
t
CHR
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RP
t
ASC
Address
Row
Addr
Row
Address
Valid Data
HI-Z
Column
VOH
VOL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB514256B | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514256B-50 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514265BJ-40 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB514265BJ-400 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB514265BJ-45 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB514256B-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514256BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514256BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514256BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514256BJ-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。