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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB514256B-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 256K X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDIP20 |
| 文件頁數(shù)： | 9/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | HYB514256B-70 |
Semiconductor Group
63
HYB 514256B/BL/BJ/BJL-50/-60/-70
256 K
×
4-DRAM
CAS precharge time (CAS-
before-RAS counter test
cycle)
t
CPT
25
–
30
–
40
–
ns
OE access time
t
OEA
t
ROH
–
15
–
15
–
20
ns
RAS hold time referenced to
OE
10
–
10
–
10
–
ns
Output buffer turn-off delay
time from OE
Data to CAS low delay
14)
CAS high to data delay
15)
OE high to data delay
15)
OE to data delay
15)
t
OEZ
0
15
0
20
0
20
ns
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
0
–
0
–
0
–
ns
0
–
0
–
0
–
15
–
20
–
20
–
ns
15
–
20
–
20
–
ns
Capacitance
T
A
= 0 to 70 C;
V
CC
= 5 V
±
10 %;
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A8)
C
I1
C
I2
C
5O
–
5
pF
Input capacitance (RAS, CAS, WE, OE)
–
7
pF
Output capacitance (I/O1 ... I/O4)
–
7
pF
AC Characteristics
(cont’d)
4) 13)
T
A
= 0 to 70 C;
V
CC
= 5 V
±
10 %;
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-50
-60
-70
min.
max.
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB514256B | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
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參數(shù)描述 |
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| HYB514256BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514256BJ-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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