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參數(shù)資料
| 型號： | HYB514800BJ |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 512kx8-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 512kx8位動態(tài)隨機(jī)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 7/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 211K |
| 代理商： | HYB514800BJ |
Semiconductor Group
131
RAS to CAS
delay time
11)
t
RCD
20
40
20
50
20
60
ns
RAS to column
address delay
time
12)
t
RAD
15
30
15
35
15
40
ns
CAS to RAS
precharge time
t
CRP
5
–
5
–
10
–
ns
CAS precharge time
t
CP
t
ASR
10
–
10
–
10
–
ns
Row address setup
time
0
–
0
–
0
–
ns
Row address hold
time
t
RAH
10
–
10
–
10
–
ns
Column address
setup time
t
ASC
0
–
0
–
0
–
ns
Column address hold
time
t
CAH
15
–
15
–
15
–
ns
Column address to
RAS lead time
t
RAL
30
–
35
–
40
–
ns
Read command
setup time
t
RCS
0
–
0
–
0
–
ns
Read command hold
time
8)
t
RCH
0
–
0
–
0
–
ns
Read command hold
time ref. to RAS
8)
t
RRH
0
–
0
–
0
–
ns
Write command hold
time
t
WCH
10
–
15
–
15
–
ns
Write command hold
time ref. to RAS
t
WCR
50
–
55
–
60
–
ns
Write command
pulse width
t
WP
10
–
15
–
15
–
ns
Write command to
RAS lead time
t
RWL
20
–
20
–
20
–
ns
Write command to
CAS lead time
Data setup time
9)
t
CWL
20
–
20
–
20
–
ns
t
DS
0
–
0
–
0
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
4)
T
A
= 0 to 70 C;
V
CC
= 5 V
±
10 %;
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-60
-70
-80
min.
max.
min.
max.
min.
max.
HYB 514800BJ -60/-70/-80
512k x 8 DRAM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB514800BJ-60 | 512kx8-Bit Dynamic RAM |
| HYBRID-1998 | |
| HYBRID-CAPABILITIES | Optoelectronic |
| HYBRID-CUSTOM | ASIC |
| HYC9088AR-LF | ARCNET Twisted Pair and Coaxial Compatible High Impedance Transceiver HIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB514800BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:512kx8-Bit Dynamic RAM |
| HYB514800BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:512kx8-Bit Dynamic RAM |
| HYB514800BJ-80 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:512kx8-Bit Dynamic RAM |
| HYB514800BJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514800BJL-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
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