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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM641020GS-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 64-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 1M X 64 FAST PAGE DRAM MODULE, 70 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | HYM641020GS-70 |
Semiconductor Group
8
HYM 641010/20GS-60/-70
1M x 64 Module
CAS delay time from Din
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
0
–
0
–
ns
18
Data to OE low delay
0
–
0
–
ns
18
CAS high to data delay
20
–
25
–
ns
9,19
OE high to data delay
20
–
25
–
ns
9,19
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
15
–
15
–
ns
9
Write command pulse width
10
–
10
–
ns
Write command setup time
2
–
2
–
ns
11,20
Write command to RAS lead time
20
–
25
–
ns
9
Write command to CAS lead time
15
–
20
–
ns
Data setup time
-2
–
-2
–
ns
10,21
Data hold time
15
–
20
–
ns
9,21
Read-Modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
155
–
185
–
ns
9
RAS to WE delay time
82
–
97
–
ns
11,21
CAS to WE delay time
37
–
47
–
ns
11,21
Column address to WE delay time
52
–
62
–
ns
11,21
OE command hold time
13
–
18
–
ns
10
Fast Page Mode Cycle
Fast page mode cycle time
t
PC
t
CPA
t
RAS
t
RHCP
40
–
45
–
ns
Access time from CAS precharge
–
40
–
45
ns
9,13
RAS pulse width
60
200k
70
200k
ns
CAS precharge to RAS Delay
40
–
45
–
ns
9
AC Characteristics
(cont’d)(note: 5,6,7,8)
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 5.0
±
10 %
Parameter
Symbol
-60
-70
Unit
Note
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM64V2005GU-50 | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V2005GU-60 | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM721000GS-60 | 1M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM721000GS-60- | 1M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM721000GS-70 | 1M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM642005GS-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HYM642005GS-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HYM64V1005GU-5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V1005GU-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V1005GU-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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