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參數(shù)資料
| 型號： | HYM72V1005GU-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 1M X 72 EDO DRAM MODULE, 60 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁數(shù)： | 6/14頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | HYM72V1005GU-60 |
HYM 64(72)V1005GU-50/-60
1M x 64/72 DRAM Module
Semiconductor Group
6
TRUTH TABLE
FUNCTION
RAS
CAS
WRITE
OE
ROW
ADDR
COL
ADDR
DQ0-DQ63
Standby
H
X
X
X
X
X
High Impedance
Read
L
L
H
L
ROW
COL
Data Out
Early-Write
L
L
L
X
ROW
COL
Data In
Late-Write
L
L
H - L
H
ROW
COL
Data In
Read-Modify-Write
(RMW)
L
L
H - L
L - H
ROW
COL
Data Out, Data In
EDO Page Mode Read
1st Cycle
L
H - L
H
L
ROW
COL
Data Out
2nd Cycle
L
H - L
H
L
n/a
COL
Data Out
EDO Page Mode Write
1st Cycle
L
H - L
L
X
ROW
COL
Data In
2nd Cycle
L
H - L
L
X
n/a
COL
Data In
EDO Page Mode RMW
1st Cycle
L
H - L
H - L
L - H
ROW
COL
Data Out, Data In
2st Cycle
L
H - L
H - L
L - H
n/a
COL
Data Out, Data In
RAS only refresh
L
H
X
X
ROW
n/a
High Impedance
CAS-before-RAS refresh
H - L
L
H
X
X
n/a
High Impedance
Hidden Refresh
READ
L-H-L
L
H
L
ROW
COL
Data Out
WRITE
L-H-L
L
L
X
ROW
COL
Data In
Self Refresh
H - L
L
H
X
X
X
High Impedance
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM72V1600GS-50 | 16M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM72V1610GS-50 | 16M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM72V1600GS-50- | 16M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM72V1610GS-60 | 16M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM72V1600GS-60 | 16M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM72V1005GU-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HYM72V12C736BLS4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Mx72|3.3V|K/H|x36|SDR SDRAM - Registered DIMM 1GB |
| HYM72V12C736BLS4-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|128MX72|CMOS|DIMM|168PIN|PLASTIC |
| HYM72V12C736BLS4-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|128MX72|CMOS|DIMM|168PIN|PLASTIC |
| HYM72V12C736BS4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Mx72|3.3V|K/H|x36|SDR SDRAM - Registered DIMM 1GB |
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