參數(shù)資料
型號(hào)： HYMR26418H
英文描述： 64Mx16|2.5V|40|x4|Direct RDRAM - 128MB RIMM
中文描述： 64Mx16 | 2.5V的| 40 | x4 |直接RDRAM的- 128MB的RIMM的
文件頁(yè)數(shù)： 7/18頁(yè)
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代理商： HYMR26418H
Rev. 0.95 / J uly.01
7
RIMM
Module
with 256/288Mb RDRAMs Preliminary
TM
Absolute Maximum Ratings
DC Recommended Electrical Conditions
a. The tale below shows the number of 256Mb or 288Mb RDRAM devices contained in a RIMM module of listed memory storage capacity
Parameter
Min
Signal
Max
Unit
Voltage applied to any RSL or CMOS pin with respect to Gnd
V
I,ABS
V
- 0.3
V DD + 0.3
Voltage on VDD with respect to Gnd
V
DD,ABS
V
- 0.5
V DD + 1.0
Storage temperature
T
STORE
oC
- 50
100
Parameter and Conditions
Signal
Max
Unit
Supply voltage
V
DD
V
2.50 + 0.13
CMOS I/O power supply at pad for 2.5V controllers:
CMOS I/O power supply at pad for 1.8V controllers:
V
CMOS
V
V
2.5 + 0.25
1.8 + 0.2
Min
2.50 - 0.13
2.5 - 0.13
1.8 - 0.1
Reference voltage
V
REF
V
1.4 + 0.2
1.4 - 0.2
RSL input low voltage
V
IL
V
V
REF
- 0.2
V
REF
- 0.5
RSL input high voltage
V
IH
V
V
REF
+ 0.5
V
REF
+ 0.2
CMOS input low voltage
V
IL,CMOS
V
0.5V
CMOS
- 0.25
- 0.3
CMOS input high voltage
V
IH,CMOS
V
V
CMOS
+ 0.3
0.5V
CMOS
+ 0.25
CMOS output low voltage @ I
OL,CMOS
= 1mA
V
OL,CMOS
V
0.3
CMOS output high voltage @ I
OH,CMOS
= -0.25mA
V
OH,CMOS
V
V
CMOS
- 0.3
V
REF
current @ V
REF,MAX
I
REF
μA
10 x no. RDRAMs
a
-10 x no. RDRAMs
a
CMOS input leakage current @ (0
≤
V
CMOS
≤
V
DD
)
I
SCK,CMD
μA
10 x no. RDRAMs
a
-10 x no. RDRAMs
a
CMOS input leakage current @ (0
≤
V
CMOS
≤
V
DD
)
I
SIN,SOUT
μA
10.0
-10.0
RIMM Module Capacity:
512/576MB 384/432MB 256/288MB 128/144MB
Number of 256Mb or 288Mb RDRAM devices:
16
12
8
4
Plate temperature
T
PLATE
oC
-
100
Serial Presence Detector - Positive power supply
V
SPD
V
3.6
2.2
64/72MB
2
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HY-P701C 制造商:Crouzet 功能描述:
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HYPERLOG30180 功能描述:ANTENNA LOG 380MHZ-18GHZ RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 天線 系列:HyperLOG® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:*
HYPERLOG4060 功能描述:ANTENNA LOG 400MHZ-6GHZ RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 天線 系列:HyperLOG® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:*
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