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參數資料
| 型號： | HYMR26418H |
| 英文描述： | 64Mx16|2.5V|40|x4|Direct RDRAM - 128MB RIMM |
| 中文描述： | 64Mx16 | 2.5V的| 40 | x4 |直接RDRAM的- 128MB的RIMM的 |
| 文件頁數： | 8/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 291K |
| 代理商： | HYMR26418H |
Rev. 0.95 / J uly.01
8
RIMM
Module
with 256/288Mb RDRAMs Preliminary
TM
RIMM Module Current Profile
a. Actual Power will depend on individual RDRAM component specifications, memory controller and usage patterns. Please refer to
specific RIMM module vendor data sheets for additional information.
b. I/O current is a function of the % of 1’s, to add I/O power for 50% 1’s for a x16 need to add 257mA or 290mA for x18 ECC modu le for
the following : V
DD
= 2.5V, V
TERM
= 1.8V, V
REF
= 1.4V and V
DIL
= V
REF
- 0.5V.
I
DD
RIMM Module Capacity:
No. of 256/288Mb RDRAMs:
512/576MB
16
384/423MB
12
256/288MB
8
128/144MB
4
64/72MB
2
Unit
RIMM Module power conditions
a
Freq.
Max
Max
Max
Max
Max
I
DD1
One RDRAM in Read
b
, balance
in NAP mode
800
798
782
767
751
742
mA
711
746
730
714
698
679
600
641
625
609
593
584
I
DD2
One RDRAM in Read
b
, balance
in Standby mode
800
2860
2340
1820
1300
1040
mA
711
2667
2187
1707
1227
987
600
2406
1996
1526
1086
866
I
DD3
One RDRAM in Read
b
, balance
in Active mode
800
3100
2460
1820
1180
860
mA
711
2900
2300
1700
1100
800
600
2350
1870
1390
910
670
I
DD4
One RDRAM in Write
b
, balance
in NAP mode
800
956
940
924
908
899
mA
711
851
835
819
803
792
600
746
730
714
698
689
I
DD5
One RDRAM in Write
b
, balance
in Standby mode
800
2868
2303
1738
1174
892
mA
711
2800
2240
1680
1120
840
600
2262
1818
1375
932
711
I
DD6
One RDRAM in Write
b
, balance
in Active mode
800
3055
2535
2015
1495
1235
mA
711
2800
2320
1840
1360
1120
600
2544
2104
1664
1224
1004
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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