參數(shù)資料
型號: HYS64V4220GCDL
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 3.3V SDRAM Modules(3.3V SDRAM 模塊)
中文描述: 3.3V的內(nèi)存模塊(3.3V的內(nèi)存模塊)
文件頁數(shù): 6/18頁
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代理商: HYS64V4220GCDL
HYS 64Vx20(2)0GCDL
144-pin SO-DIMM SDRAM Modules
Data Book
6
12.99
Block Diagram: Two Bank 16M
×
64 SDRAM DIMM Module
SPB04202
DQ0-DQ7
DQM
D0
DQ0-DQ7
DQM
D4
CS0
CS1
DQ0-DQ7
DQMB0
DQ0-DQ7
DQ32-DQ39
DQMB4
DQM
CS
D2
DQ0-DQ7
DQM
D6
A0-A11, BA0, BA1
D0-D7
DD
V
SS
V
C
RAS, CAS, WE
D0-D3
4 SDRAM
4 SDRAM
CLK0
CLK1
E PROM (256 word x 8 Bit)
SA1
SA2
SA0
SCL
SDA
DQMB1
DQ8-DQ15
DQMB5
DQ40-DQ47
DQM
DQ0-DQ7
DQM
DQ0-DQ7
DQM
DQ0-DQ7
DQM
DQ0-DQ7
DQ56-DQ63
DQ48-DQ55
DQMB6
DQMB7
DQMB3
DQ24-DQ31
DQMB2
DQ16-DQ23
DQ0-DQ7
DQM
DQM
DQ0-DQ7
D1
DQ0-DQ7
DQ0-DQ7
DQM
DQM
D5
DQ0-DQ7
DQM
DQ0-DQ7
DQ0-DQ7
DQM
DQM
DQ0-DQ7
D3
DQM
D7
D0-D7
D0-D7
D0-D15
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CKE1
D4-D7
CKE0
Note: 1.DQ wiring may differ than describes in this
drawing, however DQ/DQMB/CKE/CS relationship
must be maintained as shown.
In this design each of the D0-D7 components
are represented by two 8 M x 8 chips. These two
chips effectively work as a single 8 M x 16 device.
2.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYS64V8220GCDL 3.3V SDRAM Modules(3.3V SDRAM 模塊)
HYS64V16220GDL-7 144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
HYS64V16220GDL-75 Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 35V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk
HYS64V16220GDL 144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
HYS64V16220GDL-8 144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYS64V4220GCDL-7.5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HYS64V4220GCDL-8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HYS64V4220GU-10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module
HYS64V4220GU-8 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module
HYS64V4220GU-8-3 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module