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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYS64V4220GU-10 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| 中文描述： | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | HYS64V4220GU-10 |
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HYS64(72)V2200/4220GU-8/-10
SDRAM-Modules
Semiconductor Group
9
Refresh Cycle
Self Refresh Exit Time
t
SREX
t
REF
10
–
10
–
10
–
ns
9)
Refresh Period (4096 cycles)
64
–
64
–
64
–
ms
8)
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
t
LZ
3
–
3
–
3
–
ns
4)
Data Out to Low Impedance
Time
0
–
0
–
0
–
ns
Data Out to High Impedance
Time
t
HZ
3
9
3
9
3
9
ns
10)
DQM Data Out Disable
Latency
t
DQZ
2
–
2
–
2
–
CLK
Write Cycle
Data input to Precharge (write
recovery)
t
DPL
2
–
2
–
2
–
CLK
Data In to Active/refresh
t
DAL
t
DQW
5
–
5
–
5
–
CLK
11)
DQM Write Mask Latency
0
–
0
–
0
–
CLK
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-8
PC100
2-2-2
-8-3
PC100
3-2-3
-10
PC66
2-2-2
min.
max.
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYS72V4220GU-10 | 3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| HYS64V4220GU-8 | 3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| HYS64V4220GU-8-3 | 3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| HYS64V2200GU-8-3 | 3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| HYS72V2200GU-8-3 | 3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYS64V4220GU-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| HYS64V4220GU-8-3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
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