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參數(shù)資料
| 型號： | IBM0164165P |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）) |
| 中文描述： | 4米× 16 13 / 9 EDO公司的DRAM（4米× 16動態(tài)隨機(jī)存儲器（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）） |
| 文件頁數(shù)： | 3/28頁 |
| 文件大小： | 480K |
| 代理商： | IBM0164165P |
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IBM0164165B
IBM0164165P
4M x 16 13/9 EDO DRAM
88H2012
GA14-4251-02
Revised 11/97
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 3 of 28
Truth Table
Function
RAS
LCAS
UCAS
WE
OE
Row
Address
Column
Address
I/O0 - I/O15
Standby
H
H
→
X
H
→
X
X
X
X
X
High Impedance
Read: Word
L
L
L
H
L
Row
Col
Data Out
Read: Lower Byte
L
L
H
H
L
Row
Col
Lower Byte: Data Out
Upper Byte: High-Z
Read: Upper Byte
L
H
L
H
L
Row
Col
Lower Byte: High-Z
Upper Byte: Data Out
Write: Word
Early-Write
L
L
L
L
X
Row
Col
Data In
Write: Lower Byte
Early-Write
L
L
H
L
X
Row
Col
Lower Byte: Data In
Upper Byte: High-Z
Write: Upper Byte
Early-Write
L
H
L
L
X
Row
Col
Lower Byte: High-Z
Upper Byte: Data In
Read-Modify-Write
L
L
L
H
→
L
L
→
H
Row
Col
Data Out, Data In
EDO (Hyper Page) Mode
Read
1st Cycle
L
H
→
L
H
→
L
H
L
Row
Col
Data Out
2nd Cycle
L
H
→
L
H
→
L
H
L
N/A
Col
Data Out
EDO (Hyper Page) Mode
Write
1st Cycle
L
H
→
L
H
→
L
L
X
Row
Col
Data In
2nd Cycle
L
H
→
L
H
→
L
L
X
N/A
Col
Data In
EDO (Hyper Page) Mode
Read-Modify-Write
1st Cycle
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
L
→
H
Row
Col
Data Out, Data In
2nd Cycle
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
L
→
H
N/A
Col
Data Out, Data In
RAS-Only Refresh
L
H
H
X
X
Row
N/A
High Impedance
CAS-Before-RAS Refresh
H
→
L
L
L
H
X
X
N/A
High Impedance
Hidden Refresh
Read
L
→
H
→
L
L
L
H
L
Row
Col
Data Out
Write
L
→
H
→
L
L
L
L
X
Row
Col
Data In
Self Refresh (LP version only)
H
→
L
L
L
H
X
X
X
High Impedance
Discontinued (8/98 - last order; 12/98 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0164405B | 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| IBM0164405P | 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| IBM01644F5B | 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動態(tài)RAM（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| IBM0165165B | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0165165P | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM0164405BT3D50 | 制造商:IBM 功能描述:20L9262 |
| IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |
| IBM0165805BJ3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H2806 |
| IBM0165805BT3C60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM0165805PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3108 |
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