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AON6590_001

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AON6590_001 技術(shù)參數(shù)
  • AON6590 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):67A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):0.99 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):8320pF @ 20V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6588 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):32A(Ta),32A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2160pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6586 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1150pF @ 15V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6578 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):28A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.4 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1340pF @ 15V 功率 - 最大值:5.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6576 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):26A(Ta),32A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1320pF @ 15V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6756 AON6756_101 AON6758 AON6758_101 AON6758_102 AON6758_103 AON6758_104 AON6760 AON6764 AON6774 AON6780 AON6782 AON6786_001 AON6792 AON6794 AON6796 AON6810 AON6812
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