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APT66F60L

配單專(zhuān)家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

APT66F60L
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
TO-264-3
23+
-
微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

APT66F60L
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

APT66F60L
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
Microsemi/美高森美
TO-264
22+
-
十年配單，只做原裝

APT66F60L
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-264/TO-3PL
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

APT66F60L
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴(lài)先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
50008
YXYBDT臺(tái)灣
TO-264TO-
2024+
-
代理臺(tái)灣YXYBDT.現(xiàn)貨

APT66F60L
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A
22+
-

APT66F60L
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

APT66F60L
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
Microsemi
TO-264
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

APT66F60L
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
677
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

APT66F60L
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
25
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

APT66F60L
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
9600
APT
價(jià)格優(yōu)勢(shì)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共19條
1

您是不是要找： APT66M60B2 APT66M60L APT68GA60B APT68GA60B2D40 APT68GA60LD40 APT6M100K APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60

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APT66F60L 技術(shù)參數(shù)

APT66F60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT65GP60L2DQ2G 功能描述:IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:198A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):250A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，65A 功率 - 最大值:833W 開(kāi)關(guān)能量:605μJ（開(kāi)），895μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:30ns/90ns 測(cè)試條件:400V，65A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT65GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:431W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，65A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:7.4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT65GP60B2G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):250A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，65A 功率 - 最大值:833W 開(kāi)關(guān)能量:605μJ（開(kāi)），896μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:30ns/91ns 測(cè)試條件:400V，65A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT64GA90LD30 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):193A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.1V @ 15V，38A 功率 - 最大值:500W 開(kāi)關(guān)能量:1192μJ（開(kāi)），1088μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:162nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:18ns/131ns 測(cè)試條件:600V，38A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3

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配單專(zhuān)線：0755-82781160
艾睿（深圳）實(shí)業(yè)有限公..
配單專(zhuān)線：0755-82387015
集好芯城
配單專(zhuān)線：0755-83286799
安富微（深圳）商貿(mào)有限..
配單專(zhuān)線：0755-88999344
深圳市芯易芯科技有限公..
配單專(zhuān)線：0755-84864007

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