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APTM120H140FT1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTM120H140FT1G
    APTM120H140FT1G

    APTM120H140FT1G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP1

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APTM120H140FT1G
    APTM120H140FT1G

    APTM120H140FT1G

  • 標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 2

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -

  • 公司現(xiàn)貨！只做原裝！

  • APTM120H140FT1G
    APTM120H140FT1G

    APTM120H140FT1G

  • 深圳市悅興晨電子科技有限公司
    深圳市悅興晨電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：０７５５-８２８１２００４82811605

    地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)405棟607室 柜臺號新亞洲二期N2B227

  • 23587

  • Microsemi Power Products

  • 原廠封裝

  • 2023+

  • -

  • 原裝新到現(xiàn)貨庫存

  • APTM120H140FT1G
    APTM120H140FT1G

    APTM120H140FT1G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • APTM120H140FT1G
    APTM120H140FT1G

    APTM120H140FT1G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60

  • MICROSEMI

  • 散裝

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APTM120H140FT1G
    APTM120H140FT1G

    APTM120H140FT1G

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 50

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進(jìn)口

  • -

  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

  • APTM120H140FT1G
    APTM120H140FT1G

    APTM120H140FT1G

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 50

  • MICROSEMI

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
APTM120H140FT1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MOD FULL BRIDGE 1200V SP1
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM120H140FT1G 技術(shù)參數(shù)
  • APTM120DU29TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:348 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:374nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120DU15G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:748nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120DSK57T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:684 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:187nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120DDA57T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:684 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:187nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120DA68T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:816 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6696pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120U10DAG APTM120U10SAG APTM120U10SCAVG APTM120UM70DAG APTM120UM70FAG APTM120UM95FAG APTM20AM04FG APTM20AM05FG APTM20AM05FTG APTM20AM06SG APTM20AM08FTG APTM20AM10FTG APTM20AM10STG APTM20DAM04G APTM20DAM05G APTM20DAM08TG APTM20DAM10TG APTM20DHM08G
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免責(zé)聲明：以上所展示的APTM120H140FT1G信息由會員自行提供，APTM120H140FT1G內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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