BSS192T/R

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BSS192T/R
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
PHILIPS-SEMI
原廠封裝
最新批號(hào)
-
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制造商
PHILIPS-SEMI
功能描述

BSS192T/R 技術(shù)參數(shù)

BSS192PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS192PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSS192PH6327FTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS192PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS192PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327 BSS215PH6327XTSA1 BSS215PL6327HTSA1 BSS223PW L6327 BSS223PWH6327XTSA1 BSS225 BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 BSS225L6327HTSA1 BSS306N H6327 BSS306NH6327XTSA1 BSS306NL6327HTSA1 BSS308PE H6327 BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEL6327HTSA1 BSS314PE H6327