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BSS308PE

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  • BSS308PE
    BSS308PE

    BSS308PE

  • 深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
    深圳市軒盛達(dá)電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號佳和華強(qiáng)大廈五樓5C103

  • 10000

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  • BSS308PEH6327XTSA1
    BSS308PEH6327XTSA1

    BSS308PEH6327XTSA1

  • 深圳市瑞斯特電子科技有限公司
    深圳市瑞斯特電子科技有限公司

    聯(lián)系人:楊銳鋒

    電話:0755-8255091013189682405

    地址:深圳福田區(qū)華強(qiáng)廣場二樓Q2B046

  • 216000

  • INFINEON

  • -
  • 高品質(zhì)!價(jià)格美麗!

  • BSS308PE H6327
    BSS308PE H6327

    BSS308PE H6327

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Infineon

  • 22+

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  • 原裝正品

  • BSS308PEH6327XTSA1
    BSS308PEH6327XTSA1

    BSS308PEH6327XTSA1

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 3000

  • INFINEON

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • OptiMOS? P3 Small-Signal-Transistor
BSS308PE 技術(shù)參數(shù)
  • BSS306NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):275pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS306NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.3A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.5nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):275pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS306N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):275pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS225L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):90mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 90mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSS225H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):90mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 90mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSS316N H6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NL6327HTSA1 BSS340NWH6327XTSA1 BSS44 BSS606NH6327XTSA1 BSS63 BSS63,215 BSS63LT1G BSS64 BSS64,215 BSS64LT1 BSS64LT1G BSS670S2L BSS670S2L H6327 BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LL6327HTSA1
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