參數(shù)資料
型號： IDT7024S35JB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 500V N-Channel MOSFET, UniFET; Package: TO-3P; No of Pins: 3; Container: Rail
中文描述： 4K X 16 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC84
封裝： PLASTIC, LCC-84
文件頁數(shù)： 13/20頁
文件大小： 292K
代理商： IDT7024S35JB
IDT7024S/L
HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.15
13
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH PORT-TO-PORT READ AND
BUSY
(M/
S
= V
IH
)
(2,4,5)
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH
BUSY
2740 drw 13
t
DW
t
APS
ADDR
"A"
t
WC
DATA
OUT "B"
MATCH
t
WP
R/
W
"A"
DATA
IN "A"
ADDR
"B"
t
DH
VALID
(1)
MATCH
BUSY
"B"
t
BDA
VALID
t
BDD
t
DDD(3)
t
WDD
t
BAA
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (slave) and output (master).
2. Busy is asserted on port "B" Blocking R/
W
"B", until
BUSY
"B" goes High.
3. t
WB
is only for the Slave Version.
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t
APS
is ignored for M/
S
= V
IL
(slave).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL
.
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. If M/
S
= V
IL
(slave),
BUSY
is an input. Then for this example
BUSY
"A"
= V
IH
and
BUSY
"B"
input is shown above.
5. All timing is the same for both left and right ports. Port "A" may be either the left or right Port. Port "B" is the port opposite from port "A".
2740 drw 14
R/
W
"A"
BUSY
"B"
t
WP
t
WB
R/
W
"B"
t
WH
(2)
(3)
(1)
相關PDF資料
PDF描述
IDT7024S35PF 500V N-Channel MOSFET, UniFET; Package: TT3P0; No of Pins: 3; Container: Rail
IDT7024S35PFB 500V N-Channel MOSFET, UniFET; Package: TT3P0; No of Pins: 3; Container: Rail
IDT7024S55F 500V N-Channel MOSFET, UniFET; Package: TO-3P; No of Pins: 3; Container: Rail
IDT7024S55FB 500V N-Channel MOSFET, UniFET; Package: TT3P0; No of Pins: 3; Container: Rail
IDT7024S55G HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT7024S35PFG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:
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