參數(shù)資料
型號(hào)： IDT7024S35JB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 500V N-Channel MOSFET, UniFET; Package: TO-3P; No of Pins: 3; Container: Rail
中文描述： 4K X 16 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC84
封裝： PLASTIC, LCC-84
文件頁(yè)數(shù)： 14/20頁(yè)
文件大?。?/td> 292K
代理商： IDT7024S35JB
6.15
14
IDT7024S/L
HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(1)
IDT7024X15
Com'l. Only
Min.
IDT7024X17
Com'l. Only
Min.
IDT7024X20
IDT7024X25
Symbol
INTERRUPT TIMING
t
AS
t
WR
t
INS
t
INR
Parameter
Max.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
—
—
—
—
15
15
0
0
—
—
—
—
15
15
0
0
—
—
—
—
20
20
0
0
—
—
—
—
20
20
ns
ns
ns
ns
WAVEFORM OF BUSY ARBITRATION CONTROLLED BY
CE
TIMING
(M/
S
= V
IH
)
(1)
WAVEFORM OF BUSY ARBITRATION CYCLE CONTROLLED BY ADDRESS MATCH TIMING
(M/
S
= V
IH
)
(1)
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from “A”.
2. If t
APS
is not satisfied, the busy signal will be asserted on one side or another but there is no guarantee on which side busy will be asserted.
IDT7024X35
IDT7024X55
IDT7024X70
Mil. Only
Min.
Symbol
INTERRUPT TIMING
t
AS
t
WR
t
INS
t
INR
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Max.
Unit
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
—
—
—
—
25
25
0
0
—
—
—
—
40
40
0
0
—
—
—
—
50
50
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2740 tbl 16
2740 drw 14
ADDR
"A"
and
"B"
ADDRESSES MATCH
CE
"A"
CE
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAC
t
BDC
(2)
2740 drw 16
ADDR
"A"
ADDRESS "N"
ADDR
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAA
t
BDA
(2)
MATCHING ADDRESS "N"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7024S35PF 500V N-Channel MOSFET, UniFET; Package: TT3P0; No of Pins: 3; Container: Rail
IDT7024S35PFB 500V N-Channel MOSFET, UniFET; Package: TT3P0; No of Pins: 3; Container: Rail
IDT7024S55F 500V N-Channel MOSFET, UniFET; Package: TO-3P; No of Pins: 3; Container: Rail
IDT7024S55FB 500V N-Channel MOSFET, UniFET; Package: TT3P0; No of Pins: 3; Container: Rail
IDT7024S55G HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7024S35PF 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7024S35PF8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT7024S35PFG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:
IDT7024S45J 功能描述:IC SRAM 64KBIT 45NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7024S45J8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 45NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
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